近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究团队基于12英寸集成工艺，开发出纳米限制结构相变存储器。该团队通过优化器件集成工艺，在12英寸晶圆上制备出嵌入式纳米加热电极，实现了超过1.0×1011次的器件循环擦写次数，较传统器件结构提升了1000倍，刷新了蘑菇型结构相变存储器的循环擦写纪录。科研...
存储芯片技术进步与新品发布国产最大容量新型存储器芯片“NM101”面世，由新存科技（武汉）有限责任公司自主研发，该芯片容量达到64Gb，支持随机读写，且存储时读、写速度均比目前国内同类产品提速10倍以上，寿命还增加了5倍。这一创新产品有望打破国际巨头在存储器领域的长期垄断。行业动态与竞争格局全...
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